掃描電鏡與透射電子顯微鏡有什么區(qū)別?

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掃描電鏡與透射電子顯微鏡有什么區(qū)別?

七喜

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jiusan

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益豐儀器

掃描電鏡（SEM）與透射電子顯微鏡（TEM）在原理、結構和應用上有顯著區(qū)別，具體對比如下：  
1. 成像原理  
- SEM：利用電子束掃描樣品表面，激發(fā)二次電子、背散射電子等信號，通過探測器收集信號強度差異成像，反映樣品 表面形貌和成分分布（分辨率約1~10 nm）。  
- TEM：電子束穿透超薄樣品（厚度＜100 nm），通過樣品內部結構對電子的散射和衍射差異成像，顯示 內部微觀結構（如晶體缺陷、納米材料內部組成），分辨率可達原子級（0.1 nm以下）。  
2. 樣品制備  
- SEM：樣品需導電（非導電樣品需噴金處理），可觀察塊狀、粉末狀樣品，制備簡單（切割、固定、干燥即可）。  
- TEM：需制備納米級超薄切片（常用金剛石刀切片或離子減?。蚍稚⒃阢~網(wǎng)上的納米顆粒/薄膜，制備技術要求高。  
3. 觀察范圍與應用  
- SEM：適合觀察樣品表面三維形貌（如斷口、顆粒輪廓）、鍍層均勻性等，廣泛用于材料科學、地質、半導體質檢等領域。  
- TEM：用于分析材料內部結構（如晶粒尺寸、相變產(chǎn)物）、生物大分子（病毒、蛋白質復合體）及納米材料（量子點、碳納米管）的精細結構，是納米科技和生物學的核心工具。  
4. 設備結構  
- SEM：電子槍加速電壓較低（1~30 kV），配備掃描線圈和多個信號探測器，樣品室空間較大。  
- TEM：加速電壓更高（50~300 kV），需多級電磁透鏡聚焦電子束，樣品臺尺寸微小，常搭配電子衍射裝置分析晶體結構。  
簡言之，SEM側重 表面形貌的宏觀觀察，TEM專注 內部結構的微觀解析，二者互補應用于材料表征。

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掃描電鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）是兩種常見的電子顯微鏡，它們有以下主要區(qū)別：

工作原理：

掃描電鏡（SEM）：通過聚焦電子束掃描樣品表面，檢測從樣品表面反射或二次發(fā)射的電子。它主要用于觀察樣品的表面形貌和表面結構。
透射電子顯微鏡（TEM）：電子束通過樣品，經(jīng)過透射后被探測器接收。它主要用于觀察樣品的內部結構和微觀細節(jié)。
樣品準備：

SEM：樣品一般不需要薄化，但需要導電處理（如噴金）以避免電荷積累。
TEM：樣品需要非常薄，通常薄到幾十到幾百納米，以便電子能夠透過。
分辨率：

SEM：分辨率一般較低，通常在1納米到幾納米之間，適用于觀察表面結構。
TEM：分辨率高，能達到亞納米級別，適合觀察細胞結構、晶體結構等細節(jié)。
成像方式：

SEM：顯示的是樣品的表面三維圖像，能提供較直觀的表面結構信息。
TEM：顯示的是樣品內部的二維投影圖像，可以觀察到更詳細的內部結構。
應用領域：

SEM：常用于材料科學、納米技術、生物學等領域，尤其是觀察樣品表面形貌。
TEM：常用于需要深入觀察樣品內部結構的領域，如納米技術、細胞學、物質的微觀結構等。
總的來說，SEM主要用于觀察樣品的表面，而TEM則適用于研究樣品的內部結構和更高分辨率的細節(jié)。